RJH1CF5RDPQ-80#T2
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJH1CF5RDPQ-80#T2 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | RJH1CF5RDPQ-80-T2 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | IGBT 1200V 50A 192.3W TO247 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Renesas Electronics America | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 7.044 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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RJH1CF5RDPQ-80#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH1CF5RDPQ-80#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH1CF5RDPQ-80#T2, RJH1CF5RDPQ-80#T2 Datenblatt
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RJH1CF5RDPQ-80#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 192.3W |
| Schaltenergie | - |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
| Testbedingung | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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