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RJH1CV5DPK-00#T0

RJH1CV5DPK-00#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJH1CV5DPK-00#T0
PNEDA Teilenummer RJH1CV5DPK-00-T0
Beschreibung IGBT 1200V 50A 245W TO-3P
Hersteller Renesas Electronics America
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RJH1CV5DPK-00#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH1CV5DPK-00#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
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RJH1CV5DPK-00#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 25A
Leistung - max245W
Schaltenergie1.9mJ (on), 1.5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge72nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.42ns/105ns
Testbedingung600V, 25A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)170ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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STGD3NB60SD-1

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

25A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

Leistung - max

48W

Schaltenergie

1.1mJ (on), 1.15mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

18nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

125µs/3.4µs

Testbedingung

480V, 3A, 1kOhm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

1.7µs

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

DPAK

APT25GP90BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

72A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

Leistung - max

417W

Schaltenergie

370µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/55ns

Testbedingung

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

APT40GP60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Leistung - max

543W

Schaltenergie

385µJ (on), 352µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

135nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/64ns

Testbedingung

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IRG6B330UDPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

330V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.76V @ 15V, 120A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

85nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

47ns/176ns

Testbedingung

196V, 25A, 10Ohm

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

37A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 15A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

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Gate Charge

267nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/455ns

Testbedingung

1500V, 15A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

706ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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