RJH60D1DPE-00#J3
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| Teilenummer | RJH60D1DPE-00#J3 |
| PNEDA Teilenummer | RJH60D1DPE-00-J3 |
| Beschreibung | IGBT 600V 20A 52W LDPAK |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJH60D1DPE-00#J3 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJH60D1DPE-00#J3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJH60D1DPE-00#J3, RJH60D1DPE-00#J3 Datenblatt
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RJH60D1DPE-00#J3 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 20A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 10A |
| Leistung - max | 52W |
| Schaltenergie | 100µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 13nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 30ns/42ns |
| Testbedingung | 300V, 10A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 100ns |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-83 |
| Lieferantengerätepaket | 4-LDPAK |
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 135A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.75V @ 15V, 20A Leistung - max 235W Schaltenergie 1.66mJ (on), 4.44mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 110nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 29ns/275ns Testbedingung 960V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 152ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
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Hersteller IXYS Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 200A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A Leistung - max 400W Schaltenergie 900µJ (on), 3.8mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 140nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 40ns/270ns Testbedingung 960V, 35A, 3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 40ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3 Lieferantengerätepaket TO-3P |
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