Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJH60D5DPM-00#T1

RJH60D5DPM-00#T1

Nur als Referenz

Teilenummer RJH60D5DPM-00#T1
PNEDA Teilenummer RJH60D5DPM-00-T1
Beschreibung IGBT 600V 75A 45W TO3PFM
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.838
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 20 - Jul 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJH60D5DPM-00#T1 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJH60D5DPM-00#T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
RJH60D5DPM-00#T1, RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 101,78 KB)
PDFRJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Cover
RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 2 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 3 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 4 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 5 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 6 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 7 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 8 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 9 RJH60D5DPM-00#T1 Datenblatt Seite 10

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJH60D5DPM-00#T1 Datasheet
  • where to find RJH60D5DPM-00#T1
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJH60D5DPM-00#T1
  • RJH60D5DPM-00#T1 PDF Datasheet
  • RJH60D5DPM-00#T1 Stock

  • RJH60D5DPM-00#T1 Pinout
  • Datasheet RJH60D5DPM-00#T1
  • RJH60D5DPM-00#T1 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJH60D5DPM-00#T1 Price
  • RJH60D5DPM-00#T1 Distributor

RJH60D5DPM-00#T1 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 37A
Leistung - max45W
Schaltenergie650µJ (on), 270µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge78nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.50ns/135ns
Testbedingung300V, 37A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)100ns
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3PFM, SC-93-3
LieferantengerätepaketTO-3PFM

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

RGT50TM65DGC9

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

21A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Leistung - max

47W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/88ns

Testbedingung

400V, 25A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

58ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220NFM

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

9.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/450ns

Testbedingung

960V, 25A, 18Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXSH)

STGB30H60DLLFBAG

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

HB

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 5V, 30A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

600µJ (off)

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

110nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/320ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGS4B60KD1PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

22A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

73µJ (on), 47µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/100ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

93ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRG4PH50S-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Kürzlich verkauft

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

ADV7341BSTZ

ADV7341BSTZ

Analog Devices

IC ENCODER VIDEO HDTV 64LQFP

S29JL064J60TFI003

S29JL064J60TFI003

Cypress Semiconductor

IC FLASH 64M PARALLEL 48TSOP

AOD486A

AOD486A

Alpha & Omega Semiconductor

MOSFET N-CH 40V 50A TO-252

AT91FR40162S-CJ

AT91FR40162S-CJ

Microchip Technology

IC MCU 16/32BIT 2MB FLASH 121BGA

MBRD10200CT

MBRD10200CT

Littelfuse

DIODE SCHOTTKY 200V 5A TO252

MAX232EESE+T

MAX232EESE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SOIC

NM93CS46M8

NM93CS46M8

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

B3F-4050

B3F-4050

Omron Electronics Inc-EMC Div

SWITCH TACTILE SPST-NO 0.05A 24V

MMSZ5226B-7-F

MMSZ5226B-7-F

Diodes Incorporated

DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123

ALS70A273NT250

ALS70A273NT250

KEMET

CAP ALUM 27000UF 20% 250V SCREW

527R-01LF

527R-01LF

IDT, Integrated Device Technology

IC CLK SLICER ZDB CONFIG 28-SSOP