RJK60S7DPK-M0#T0
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| Teilenummer | RJK60S7DPK-M0#T0 |
| PNEDA Teilenummer | RJK60S7DPK-M0-T0 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.328 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJK60S7DPK-M0#T0 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJK60S7DPK-M0#T0 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
RJK60S7DPK-M0#T0, RJK60S7DPK-M0#T0 Datenblatt
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RJK60S7DPK-M0#T0 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +30V, -20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 25V |
| FET-Funktion | Super Junction |
| Verlustleistung (max.) | 227.2W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-3PSG |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
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