RJM0603JSC-00#12
Nur als Referenz
| Teilenummer | RJM0603JSC-00#12 |
| PNEDA Teilenummer | RJM0603JSC-00-12 |
| Beschreibung | MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.754 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RJM0603JSC-00#12 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJM0603JSC-00#12 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
RJM0603JSC-00#12, RJM0603JSC-00#12 Datenblatt
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RJM0603JSC-00#12 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 10V |
| Leistung - max | 54W |
| Betriebstemperatur | 175°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 20-HSOP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 532pF @ 16V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V, 50V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 340mA, 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V, 8Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA, 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40pF, 30pF @ 10V, 5V Leistung - max 150mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 4.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 15V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
