RJP65T43DPQ-A0#T2
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| Teilenummer | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
| PNEDA Teilenummer | RJP65T43DPQ-A0-T2 |
| Beschreibung | IGBT TRENCH 650V 60A TO247A |
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.176 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 23 - Mai 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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RJP65T43DPQ-A0#T2 Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RJP65T43DPQ-A0#T2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
RJP65T43DPQ-A0#T2, RJP65T43DPQ-A0#T2 Datenblatt
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RJP65T43DPQ-A0#T2 Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 650V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | - |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
| Leistung - max | 150W |
| Schaltenergie | 170µJ (on), 130µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 69nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 35ns/105ns |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247A |
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