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RMLV0816BGSB-4S2#HA0

RMLV0816BGSB-4S2#HA0

Nur als Referenz

Teilenummer RMLV0816BGSB-4S2#HA0
PNEDA Teilenummer RMLV0816BGSB-4S2-HA0
Beschreibung IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP
Hersteller Renesas Electronics America
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMLV0816BGSB-4S2#HA0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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RMLV0816BGSB-4S2#HA0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße8Mb (512K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.4V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Speichertyp

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Speichergröße

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherformat

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Spannung - Versorgung

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

12ns

Zugriffszeit

12ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Everspin Technologies Inc.

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

RAM

Technologie

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Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

35ns

Zugriffszeit

35ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

14ms

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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