Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RN1609(TE85L,F)

RN1609(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer RN1609(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer RN1609-TE85L-F
Beschreibung TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 6 - Jul 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RN1609(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRN1609(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RN1609(TE85L,F) Datasheet
  • where to find RN1609(TE85L,F)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN1609(TE85L,F)
  • RN1609(TE85L,F) PDF Datasheet
  • RN1609(TE85L,F) Stock

  • RN1609(TE85L,F) Pinout
  • Datasheet RN1609(TE85L,F)
  • RN1609(TE85L,F) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • RN1609(TE85L,F) Price
  • RN1609(TE85L,F) Distributor

RN1609(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Transistortyp2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang250MHz
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSM6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

PBLS2004D,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 20V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 280mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA, 100nA

Frequenz - Übergang

185MHz

Leistung - max

600mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

FMA10AT148

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

1kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74A, SOT-753

Lieferantengerätepaket

SMT5

RN1902,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

US6

PEMB30,315

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

300mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-666

PBLS2022D,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

1 PNP Pre-Biased, 1 PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA, 1.8A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V, 20V

Widerstand - Basis (R1)

4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V / 200 @ 1A, 2V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 210mV @ 100mA, 1.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA, 100nA

Frequenz - Übergang

130MHz

Leistung - max

760mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Kürzlich verkauft

HCPL-063L-500E

HCPL-063L-500E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV 2CH OPEN COLL 8SO

0451.500MRL

0451.500MRL

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 500MA 125VAC/VDC

MBT3906DW1T1G

MBT3906DW1T1G

ON Semiconductor

TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88

STM32L433CCU6

STM32L433CCU6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 48QFPN

ST62T20CB6

ST62T20CB6

STMicroelectronics

IC MCU 8BIT 4KB OTP 20DIP

SMLP34RGB2W3

SMLP34RGB2W3

Rohm Semiconductor

LED RGB DIFFUSED PICOLED SMD

AD5447YRUZ

AD5447YRUZ

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 24TSSOP

ATXMEGA64A3U-AU

ATXMEGA64A3U-AU

Microchip Technology

IC MCU 8/16BIT 64KB FLASH 64TQFP

ST16C2552IJ44TR-F

ST16C2552IJ44TR-F

MaxLinear, Inc.

IC UART FIFO 16B DUAL 44PLCC

BLM31PG391SN1L

BLM31PG391SN1L

Murata

FERRITE BEAD 390 OHM 1206 1LN

74279221111

74279221111

Wurth Electronics

FERRITE BEAD 110 OHM 1206 1LN

SMBJ26A-E3/52

SMBJ26A-E3/52

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 26V 42.1V DO214AA