RN4602TE85LF
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| Teilenummer | RN4602TE85LF |
| PNEDA Teilenummer | RN4602TE85LF |
| Beschreibung | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RN4602TE85LF Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RN4602TE85LF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
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RN4602TE85LF Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 10kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-74, SOT-457 |
| Lieferantengerätepaket | SM6 |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms, 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms, 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 270mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
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