Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RN4609(TE85L,F)

RN4609(TE85L,F)

Nur als Referenz

Teilenummer RN4609(TE85L,F)
PNEDA Teilenummer RN4609-TE85L-F
Beschreibung TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.208
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 15 - Jun 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RN4609(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRN4609(TE85L,F)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RN4609(TE85L,F) Datasheet
  • where to find RN4609(TE85L,F)
  • Toshiba Semiconductor and Storage

  • Toshiba Semiconductor and Storage RN4609(TE85L,F)
  • RN4609(TE85L,F) PDF Datasheet
  • RN4609(TE85L,F) Stock

  • RN4609(TE85L,F) Pinout
  • Datasheet RN4609(TE85L,F)
  • RN4609(TE85L,F) Supplier

  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • RN4609(TE85L,F) Price
  • RN4609(TE85L,F) Distributor

RN4609(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
Transistortyp1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)47kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)22kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 10mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang200MHz
Leistung - max300mW
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-74, SOT-457
LieferantengerätepaketSM6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

DMG964H10R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

47kOhms, 4.7kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms, 10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F3-B

UMC2NTR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

22kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

Lieferantengerätepaket

UMT5

DDA114EH-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

NSVMUN5214DW1T3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

UMB9NTN

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

68 @ 5mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

UMT6

Kürzlich verkauft

MC100ELT22DG

MC100ELT22DG

ON Semiconductor

IC TRNSLTR UNIDIRECTIONAL 8SOIC

LTM8073IY#PBF

LTM8073IY#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-15V

ZUS252405

ZUS252405

Cosel

DC DC CONVERTER 5V

MIC2026-1YM-TR

MIC2026-1YM-TR

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

FN2070-36-08

FN2070-36-08

Schaffner EMC

LINE FILTER 110/250VAC 36A CHASS

AMT102-V

AMT102-V

CUI

ROTARY ENCODER INCREMENT PROGPPR

MURS160T3G

MURS160T3G

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 2A SMB

MCP23017-E/SP

MCP23017-E/SP

Microchip Technology

IC I/O EXPANDER I2C 16B 28SDIP

L7905CV-DG

L7905CV-DG

STMicroelectronics

IC REG LINEAR -5V 1.5A TO220

SMBJ36A-13-F

SMBJ36A-13-F

Diodes Incorporated

TVS DIODE 36V 58.1V SMB

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

LTC6813ILWE-1#3ZZPBF

Linear Technology/Analog Devices

18 CHANNEL MULTICELL BATTERY STA

4608X-101-153LF

4608X-101-153LF

Bourns

RES ARRAY 7 RES 15K OHM 8SIP