RS1L120GNTB
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| Teilenummer | RS1L120GNTB |
| PNEDA Teilenummer | RS1L120GNTB |
| Beschreibung | RS1L120GN IS LOW ON - RESISTANCE |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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RS1L120GNTB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RS1L120GNTB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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RS1L120GNTB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Ta), 36A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.7mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.7V @ 200µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1330pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-HSOP |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ III FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 24V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7055pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 10-PowerSO Paket / Fall PowerSO-10 Exposed Bottom Pad |
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