S12M
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Teilenummer | S12M |
PNEDA Teilenummer | S12M |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.052 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 3 - Nov 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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S12M Ressourcen
Marke | GeneSiC Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | S12M |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
Datenblatt |
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S12M Technische Daten
Hersteller | GeneSiC Semiconductor |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Current - Average Rectified (Io) | 12A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 12A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 10µA @ 50V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
Paket / Fall | DO-203AA, DO-4, Stud |
Lieferantengerätepaket | DO-4 |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Taiwan Semiconductor Corporation Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 600mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 600mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 15ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall T-18, Axial Lieferantengerätepaket TS-1 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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