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S25FL132K0XNFI040

S25FL132K0XNFI040

Nur als Referenz

Teilenummer S25FL132K0XNFI040
PNEDA Teilenummer S25FL132K0XNFI040
Beschreibung IC FLASH 32M SPI 108MHZ 8USON
Hersteller Cypress Semiconductor
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S25FL132K0XNFI040 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS25FL132K0XNFI040
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
S25FL132K0XNFI040, S25FL132K0XNFI040 Datenblatt (Total Pages: 91, Größe: 3.232,1 KB)
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S25FL132K0XNFI040 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieFL1-K
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße32Mb (4M x 8)
SpeicherschnittstelleSPI - Quad I/O
Taktfrequenz108MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite3ms
Zugriffszeit-
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

4Mb (512K x 8)

Speicherschnittstelle

SPI - Dual I/O

Taktfrequenz

50MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

97µs, 6ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 2V

Betriebstemperatur

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Hersteller

Alliance Memory, Inc.

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

256Kb (32K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SDRAM - DDR2

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

450ps

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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84-TWBGA (8x13.65)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, SDR

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

250MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

2.6ns

Spannung - Versorgung

2.375V ~ 2.625V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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