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S29CD016J1MQAM113

S29CD016J1MQAM113

Nur als Referenz

Teilenummer S29CD016J1MQAM113
PNEDA Teilenummer S29CD016J1MQAM113
Beschreibung IC FLASH 16M PARALLEL 56MHZ
Hersteller Cypress Semiconductor
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Auf Lager 5.256
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

S29CD016J1MQAM113 Ressourcen

Marke Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerS29CD016J1MQAM113
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher

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S29CD016J1MQAM113 Technische Daten

HerstellerCypress Semiconductor Corp
SerieCD-J
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße16Mb (512K x 32)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz56MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite60ns
Zugriffszeit54ns
Spannung - Versorgung1.65V ~ 2.75V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall80-BQFP
Lieferantengerätepaket80-PQFP (20x20)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

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Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, DDR II

Speichergröße

36Mb (1M x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

333MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.9V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

165-LBGA

Lieferantengerätepaket

165-FBGA (13x15)

S98WS01GP00HW0210A

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

W979H6KBQX2E

Winbond Electronics

Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

400MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-WFBGA

Lieferantengerätepaket

168-WFBGA (12x12)

MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q100

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR4

Speichergröße

8Gb (512M x 16)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

2.133GHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

AT49F001A-55JI

Microchip Technology

Hersteller

Microchip Technology

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

32-LCC (J-Lead)

Lieferantengerätepaket

32-PLCC (13.97x11.43)

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