S29WS128N0PBFW013
Nur als Referenz
| Teilenummer | S29WS128N0PBFW013 |
| PNEDA Teilenummer | S29WS128N0PBFW013 |
| Beschreibung | IC MEMORY NOR |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.348 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
S29WS128N0PBFW013 Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | S29WS128N0PBFW013 |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
S29WS128N0PBFW013, S29WS128N0PBFW013 Datenblatt
(Total Pages: 79, Größe: 1.777,56 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- S29WS128N0PBFW013 Datasheet
- where to find S29WS128N0PBFW013
- Cypress Semiconductor
- Cypress Semiconductor S29WS128N0PBFW013
- S29WS128N0PBFW013 PDF Datasheet
- S29WS128N0PBFW013 Stock
- S29WS128N0PBFW013 Pinout
- Datasheet S29WS128N0PBFW013
- S29WS128N0PBFW013 Supplier
- Cypress Semiconductor Distributor
- S29WS128N0PBFW013 Price
- S29WS128N0PBFW013 Distributor
S29WS128N0PBFW013 Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microchip Technology Serie SST26 SQI® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16M (2M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O Taktfrequenz 80MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 1.5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WDFN (5x6) |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - Mobile LPDDR Speichergröße 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 90-TFBGA Lieferantengerätepaket 90-TFBGA (8x13) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR3L Speichergröße 4Gb (512M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.283V ~ 1.45V Betriebstemperatur 0°C ~ 95°C (TC) Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Alliance Memory, Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 143MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 2ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie Automotive, AEC-Q100, FL-L Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI Taktfrequenz 108MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-WFDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-WSON (5x6) |
