S98WS01GP00HW0210B
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| Teilenummer | S98WS01GP00HW0210B |
| PNEDA Teilenummer | S98WS01GP00HW0210B |
| Beschreibung | IC GATE NOR |
| Hersteller | Cypress Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.474 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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S98WS01GP00HW0210B Ressourcen
| Marke | Cypress Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | S98WS01GP00HW0210B |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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S98WS01GP00HW0210B Technische Daten
| Hersteller | Cypress Semiconductor Corp |
| Serie | - |
| Speichertyp | - |
| Speicherformat | - |
| Technologie | - |
| Speichergröße | - |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Cypress Semiconductor Corp Serie * Speichertyp - Speicherformat - Technologie - Speichergröße - Speicherschnittstelle - Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microchip Technology Serie SST39 MPF™ Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH Speichergröße 16Mb (1M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 40µs Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 1.65V ~ 1.95V Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-WFBGA Lieferantengerätepaket 48-WFBGA (6x4) |
Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 1MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 550ns Spannung - Versorgung 2.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 100ns Zugriffszeit 100ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -55°C ~ 125°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-CDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 28-CDIP |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle SPI Taktfrequenz 10MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.8V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
