SBLB10L25HE3_A/P
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| Teilenummer | SBLB10L25HE3_A/P |
| PNEDA Teilenummer | SBLB10L25HE3_A-P |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SBLB10L25HE3_A/P Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SBLB10L25HE3_A/P |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
SBLB10L25HE3_A/P, SBLB10L25HE3_A/P Datenblatt
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SBLB10L25HE3_A/P Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 25V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 460mV @ 10A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 800µA @ 25V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Lieferantengerätepaket | TO-263AB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 150°C |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 110pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 125°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/682 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 860mV @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. 800pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket U3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Avalanche Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 4µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 20pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall SOD-57, Axial Lieferantengerätepaket SOD-57 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101, Superectifier® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1000V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 250ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. 15pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-204AL, DO-41, Axial Lieferantengerätepaket DO-204AL (DO-41) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 900V Current - Average Rectified (Io) 275A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 12mA @ 900V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-205AB, DO-9, Stud Lieferantengerätepaket DO-205AB, DO-9 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 190°C |
