SCT3040KLHRC11
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| Teilenummer | SCT3040KLHRC11 |
| PNEDA Teilenummer | SCT3040KLHRC11 |
| Beschreibung | AUTOMOTIVE GRADE N-CHANNEL SIC P |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.160 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SCT3040KLHRC11 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SCT3040KLHRC11 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SCT3040KLHRC11 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 55A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 107nC @ 18V |
| Vgs (Max) | +22V, -4V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1337pF @ 800V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 262W |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247N |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A (Ta), 124A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 74A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11560pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET L8 Paket / Fall DirectFET™ Isometric L8 |
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