SE70PG-M3/86A
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| Teilenummer | SE70PG-M3/86A |
| PNEDA Teilenummer | SE70PG-M3-86A |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 400V 2.9A TO277A |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.394 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SE70PG-M3/86A Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SE70PG-M3/86A |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SE70PG-M3/86A Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 400V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.9A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 7A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.6µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 20µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F. | 76pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-277, 3-PowerDFN |
| Lieferantengerätepaket | TO-277A (SMPC) |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall A, Axial Lieferantengerätepaket A, Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100mA (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 525mV @ 100mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-923 Lieferantengerätepaket SOD-923 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/427 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 3A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 2µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SQ-MELF, A Lieferantengerätepaket D-5A Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 800mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500nA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123W Lieferantengerätepaket SOD123W Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
