SF62GHB0G
Nur als Referenz
| Teilenummer | SF62GHB0G |
| PNEDA Teilenummer | SF62GHB0G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 100V 6A DO201AD |
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 20 - Mai 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SF62GHB0G Ressourcen
| Marke | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SF62GHB0G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SF62GHB0G Technische Daten
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 6A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 6A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Kapazität @ Vr, F. | 100pF @ 4V, 1MHz |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
| Lieferantengerätepaket | DO-201AD |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Powerex Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 2600V Current - Average Rectified (Io) 2000A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.45V @ 3000A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 200mA @ 2600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall DO-200AD Lieferantengerätepaket Pow-R-Disc Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Schottky, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 590mV @ 40A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 20mA @ 10V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-5 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 16A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 16A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 50ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. 175pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 60V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 600mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 60V Kapazität @ Vr, F. 55pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-216AA Lieferantengerätepaket Powermite Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 950mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOD-123W Lieferantengerätepaket SOD123W Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
