SFT1440-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | SFT1440-E |
| PNEDA Teilenummer | SFT1440-E |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 1.5A TP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.338 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SFT1440-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SFT1440-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SFT1440-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.1Ohm @ 800mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 30V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 20W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TP |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 95mOhm @ 2.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.8nC @ 4.5V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 560pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 750mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-88 (SC-70-6) Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ F7 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 80V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4570pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 140W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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