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SGH30N60RUFDTU

SGH30N60RUFDTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGH30N60RUFDTU
PNEDA Teilenummer SGH30N60RUFDTU
Beschreibung IGBT 600V 48A 235W TO3P
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGH30N60RUFDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGH30N60RUFDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGH30N60RUFDTU, SGH30N60RUFDTU Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 790,86 KB)
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SGH30N60RUFDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)48A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 30A
Leistung - max235W
Schaltenergie919µJ (on), 814µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge85nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.30ns/54ns
Testbedingung300V, 30A, 7Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)95ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

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APT45GP120BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 45A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

900µJ (on), 904µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

185nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/102ns

Testbedingung

600V, 45A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IXBT12N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Leistung - max

160W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

62nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.4µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRGR4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

140µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/120ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

D-Pak

IRG4PH50SPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

57A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

114A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 33A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

167nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

32ns/845ns

Testbedingung

960V, 33A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

Leistung - max

360W

Schaltenergie

3.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

248nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

62ns/220ns

Testbedingung

480V, 75A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA

Lieferantengerätepaket

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