Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SGL60N90DG3YDTU

SGL60N90DG3YDTU

Nur als Referenz

Teilenummer SGL60N90DG3YDTU
PNEDA Teilenummer SGL60N90DG3YDTU
Beschreibung IGBT 900V 60A 180W TO264
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 16 - Mai 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SGL60N90DG3YDTU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGL60N90DG3YDTU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGL60N90DG3YDTU, SGL60N90DG3YDTU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 363,93 KB)
PDFSGL60N90DG3YDTU Datenblatt Cover
SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 2 SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 3 SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 4 SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 5 SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 6 SGL60N90DG3YDTU Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SGL60N90DG3YDTU Datasheet
  • where to find SGL60N90DG3YDTU
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor SGL60N90DG3YDTU
  • SGL60N90DG3YDTU PDF Datasheet
  • SGL60N90DG3YDTU Stock

  • SGL60N90DG3YDTU Pinout
  • Datasheet SGL60N90DG3YDTU
  • SGL60N90DG3YDTU Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • SGL60N90DG3YDTU Price
  • SGL60N90DG3YDTU Distributor

SGL60N90DG3YDTU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 60A
Leistung - max180W
Schaltenergie-
EingabetypStandard
Gate Charge260nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-
Testbedingung-
Reverse Recovery Time (trr)1.5µs
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-264-3, TO-264AA
LieferantengerätepaketTO-264-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IRG7PH46U-EP

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

Leistung - max

469W

Schaltenergie

2.56mJ (on), 1.78mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

220nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/410ns

Testbedingung

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS247™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

IHW20N135R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1350V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

Leistung - max

288W

Schaltenergie

950µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/235ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG7CH46UEF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

38A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

Leistung - max

165W

Schaltenergie

1.65mJ (on), 1.7mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

47nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

600V, 15A, 56Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Kürzlich verkauft

CM1624-08DE

CM1624-08DE

ON Semiconductor

FILTER RLC 40 OHM/12PF/20NH SMD

AD8044ARZ-14

AD8044ARZ-14

Analog Devices

IC OPAMP VFB 4 CIRCUIT 14SOIC

C3M0065090D

C3M0065090D

Cree/Wolfspeed

MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3

AD420ARZ-32-REEL

AD420ARZ-32-REEL

Analog Devices

IC DAC 16BIT V OR A-OUT 24SOIC

ESD9L5.0ST5G

ESD9L5.0ST5G

ON Semiconductor

TVS DIODE 5V 9.8V SOD923

VN10LP

VN10LP

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3

BC239C

BC239C

ON Semiconductor

TRANS NPN 25V 0.1A TO-92

MAX15027ATB/V+T

MAX15027ATB/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

AD8250ARMZ-R7

AD8250ARMZ-R7

Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 10MSOP

STM6601CM2DDM6F

STM6601CM2DDM6F

STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

LPC1788FBD208,551

LPC1788FBD208,551

NXP

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 208LQFP

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123