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SGP10N60AXKSA1

SGP10N60AXKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer SGP10N60AXKSA1
PNEDA Teilenummer SGP10N60AXKSA1
Beschreibung IGBT 600V 20A 92W TO220-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 6.408
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SGP10N60AXKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSGP10N60AXKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
SGP10N60AXKSA1, SGP10N60AXKSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 321,38 KB)
PDFSGW10N60AFKSA1 Datenblatt Cover
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SGP10N60AXKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
IGBT-TypNPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 10A
Leistung - max92W
Schaltenergie320µJ
EingabetypStandard
Gate Charge52nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.28ns/178ns
Testbedingung400V, 10A, 25Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-220-3
LieferantengerätepaketPG-TO220-3

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IRGIB10B60KD1P

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

32A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

Leistung - max

44W

Schaltenergie

156µJ (on), 165µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

41nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/180ns

Testbedingung

400V, 10A, 50Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

79ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Lieferantengerätepaket

TO-220AB Full-Pak

Hersteller

IXYS

Serie

XPT™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

485A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

8.7mJ (on), 5.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

260nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/236ns

Testbedingung

850V, 50A, 1Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

255ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

IRG7PH50K10D-EPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD

RJH60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

230µJ (on), 290µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

46nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

40ns/80ns

Testbedingung

300V, 22A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3PFM, SC-93-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PFM

STGWA30M65DF2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Leistung - max

258W

Schaltenergie

300µJ (on), 960µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

80nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31.6ns/115ns

Testbedingung

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

Kürzlich verkauft

S2B-13-F

S2B-13-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 100V 1.5A SMB

ABS05-32.768KHZ-T

ABS05-32.768KHZ-T

Abracon

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

STM32F091RCT6

STM32F091RCT6

STMicroelectronics

IC MCU 32BIT 256KB FLASH 64LQFP

TSM2323CX RFG

TSM2323CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23

4610X-101-332LF

4610X-101-332LF

Bourns

RES ARRAY 9 RES 3.3K OHM 10SIP

MC14066BDG

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ON Semiconductor

IC MULTIPLEXER QUAD 4X1 14SOIC

TC4427AEOA713

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Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

MAX3491EESD

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

LTC1569CS8-6#PBF

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Linear Technology/Analog Devices

IC FILTER 64KHZ LINEAR PHS 8SOIC

3224W-1-101E

3224W-1-101E

Bourns

TRIMMER 100 OHM 0.25W J LEAD TOP

ISL6269BCRZ

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Renesas Electronics America Inc.

IC REG CTRLR BUCK 16QFN

MTFC8GACAAAM-4M IT

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Micron Technology Inc.

IC FLASH EMMC 64G