SH8K25GZ0TB
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| Teilenummer | SH8K25GZ0TB |
| PNEDA Teilenummer | SH8K25GZ0TB |
| Beschreibung | 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET. A POWER |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.456 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8K25GZ0TB Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SH8K25GZ0TB |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
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SH8K25GZ0TB Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.2A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 5.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Leistung - max | 2W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg) FET-Funktion Super Junction Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 66A Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 6mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 510nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14600pF @ 25V Leistung - max 416W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP2 Lieferantengerätepaket SP2 |
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