SI1016CX-T1-GE3
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| Teilenummer | SI1016CX-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1016CX-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 1.142.076 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1016CX-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1016CX-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI1016CX-T1-GE3, SI1016CX-T1-GE3 Datenblatt
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SI1016CX-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 396mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Leistung - max | 220mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SC-89-6 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 5Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13.5pF @ 15V Leistung - max 125mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SOT-963 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
