SI1065X-T1-E3
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| Teilenummer | SI1065X-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1065X-T1-E3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F |
| Stückpreis |
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SI1065X-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| Mfr. Artikelnummer | SI1065X-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI1065X-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.18A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 236mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-89-6 |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
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