SI1065X-T1-E3

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Teilenummer | SI1065X-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SI1065X-T1-E3 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Beschreibung | MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F |
Stückpreis |
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SI1065X-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
Mfr. Artikelnummer | SI1065X-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI1065X-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 1.18A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.8nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 6V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 236mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SC-89-6 |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
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