SI1330EDL-T1-GE3
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| Teilenummer | SI1330EDL-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI1330EDL-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 240MA SC-70-3 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.114 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI1330EDL-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI1330EDL-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI1330EDL-T1-GE3, SI1330EDL-T1-GE3 Datenblatt
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SI1330EDL-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 240mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 3V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 250mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 280mW (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SC-70-3 |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 300mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4Ohm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 8V Vgs (Max) ±8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 40pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Tc) Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SC-70 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
Hersteller Renesas Electronics America Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 55A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.2W (Ta), 77W (Tc) Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252 (MP-3ZK) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie MDmesh™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 130A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 65A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 363nC @ 10V Vgs (Max) ±25V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15600pF @ 100V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 672W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket ISOTOP Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
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