Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI1553DL-T1-E3

SI1553DL-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI1553DL-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI1553DL-T1-E3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 3.600
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 7 - Mai 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI1553DL-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI1553DL-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI1553DL-T1-E3, SI1553DL-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 127,89 KB)
PDFSI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI1553DL-T1-GE3 Datenblatt Seite 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI1553DL-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI1553DL-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI1553DL-T1-E3
  • SI1553DL-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI1553DL-T1-E3 Stock

  • SI1553DL-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI1553DL-T1-E3
  • SI1553DL-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI1553DL-T1-E3 Price
  • SI1553DL-T1-E3 Distributor

SI1553DL-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs385mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max270mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-70-6 (SOT-363)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

BUK7K5R6-30E,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1969pF @ 25V

Leistung - max

64W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-1205, 8-LFPAK56

Lieferantengerätepaket

LFPAK56D

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

2N7002VC-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

NDS9936

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

525pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

APTMC60TLM55CT3AG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel (Three Level Inverter)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

49mOhm @ 40A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 2mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 1000V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

Kürzlich verkauft

PIC32MX250F128D-I/PT

PIC32MX250F128D-I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 128KB FLASH 44TQFP

DPBT8105-7

DPBT8105-7

Diodes Incorporated

TRANS PNP 60V 1A SOT23-3

ULN2003ADR2G

ULN2003ADR2G

ON Semiconductor

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO

FLZ6V8A

FLZ6V8A

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.5V 500MW SOD80

AD8032ARZ-REEL7

AD8032ARZ-REEL7

Analog Devices

IC OPAMP VFB 2 CIRCUIT 8SOIC

APT8024JLL

APT8024JLL

Microsemi

MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227

ADR421ARMZ-REEL7

ADR421ARMZ-REEL7

Analog Devices

IC VREF SERIES 2.5V 8MSOP

LV8727-E

LV8727-E

ON Semiconductor

IC MTR DRVR BIPOLAR 0V-5V 25HZIP

0154002.DRT

0154002.DRT

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 2A 125VAC/VDC SMD

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD

MAX5525ETC+T

MAX5525ETC+T

Maxim Integrated

IC DAC 10BIT V-OUT 12TQFN

FDS6680A

FDS6680A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC