Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI2304DS,215

SI2304DS,215

Nur als Referenz

Teilenummer SI2304DS,215
PNEDA Teilenummer SI2304DS-215
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.668
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 30 - Jun 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI2304DS Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI2304DS,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI2304DS, SI2304DS Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 368,32 KB)
PDFSI2304DS Datenblatt Cover
SI2304DS Datenblatt Seite 2 SI2304DS Datenblatt Seite 3 SI2304DS Datenblatt Seite 4 SI2304DS Datenblatt Seite 5 SI2304DS Datenblatt Seite 6 SI2304DS Datenblatt Seite 7 SI2304DS Datenblatt Seite 8 SI2304DS Datenblatt Seite 9 SI2304DS Datenblatt Seite 10 SI2304DS Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI2304DS,215 Datasheet
  • where to find SI2304DS,215
  • Nexperia

  • Nexperia SI2304DS,215
  • SI2304DS,215 PDF Datasheet
  • SI2304DS,215 Stock

  • SI2304DS,215 Pinout
  • Datasheet SI2304DS,215
  • SI2304DS,215 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • SI2304DS,215 Price
  • SI2304DS,215 Distributor

SI2304DS Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.1.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs117mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds195pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)830mW (Tc)
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketTO-236AB
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDMS8670S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Ta), 42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

73nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4000pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-PQFN (5x6)

Paket / Fall

8-PowerTDFN

SUD50N06-08H-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

93A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3W (Ta), 136W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXTR62N15P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

PolarHT™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

36A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

Paket / Fall

ISOPLUS247™

SQM120N04-1M4L_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

IXFH50N85X

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

850V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4480pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

890W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247

Paket / Fall

TO-247-3

Kürzlich verkauft

IRLMS6702TRPBF

IRLMS6702TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP

NC7SV125P5X

NC7SV125P5X

ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 3.6V SC70-5

MAX7360ETL+

MAX7360ETL+

Maxim Integrated

IC CTRLR KEY-SW I2C 40TQFN

0466001.NR

0466001.NR

Littelfuse

FUSE BOARD MNT 1A 63VAC/VDC 1206

MC68HC908GR8CFA

MC68HC908GR8CFA

NXP

IC MCU 8BIT 7.5KB FLASH 32LQFP

LTM8027IV#PBF

LTM8027IV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 2.5-24V 4A

SA56004EDP,118

SA56004EDP,118

NXP

SENSOR DIGITAL -40C-125C 8TSSOP

ECLB40W-24S05

ECLB40W-24S05

Cincon Electronics Co. LTD

ISOLATED DC/DC CONVERTERS 49.5-6

GP10J-E3/54

GP10J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

3224W-1-202E

3224W-1-202E

Bourns

TRIMMER 2K OHM 0.25W J LEAD TOP

ISL6263BHRZ

ISL6263BHRZ

Renesas Electronics America Inc.

IC REG CONV INTEL 1OUT 32QFN

VS-30BQ040TRPBF

VS-30BQ040TRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 3A SMC