SI2308CDS-T1-GE3
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Teilenummer | SI2308CDS-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI2308CDS-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI2308CDS-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI2308CDS-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI2308CDS-T1-GE3, SI2308CDS-T1-GE3 Datenblatt
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SI2308CDS-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 144mOhm @ 1.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 105pF @ 30V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.6W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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