SI3460BDV-T1-E3
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| Teilenummer | SI3460BDV-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI3460BDV-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI3460BDV-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI3460BDV-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SI3460BDV-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1925pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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