SI3588DV-T1-GE3
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| Teilenummer | SI3588DV-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI3588DV-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.934 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI3588DV-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI3588DV-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI3588DV-T1-GE3, SI3588DV-T1-GE3 Datenblatt
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SI3588DV-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.5A, 570mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 450mV @ 250µA (Min) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 830mW, 83mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 168mOhm @ 1.4A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.1nC @ 8V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 10V Leistung - max 1.25W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench®, SyncFET™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A, 7.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6.5A, 10V, 20mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA, 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V, 8nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 720pF @ 10V, 550pF @ 10V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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