Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI3805DV-T1-GE3

SI3805DV-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI3805DV-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI3805DV-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 7.722
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 17 - Jul 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI3805DV-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI3805DV-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI3805DV-T1-GE3, SI3805DV-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 233,32 KB)
PDFSI3805DV-T1-E3 Datenblatt Cover
SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI3805DV-T1-E3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI3805DV-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI3805DV-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI3805DV-T1-GE3
  • SI3805DV-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI3805DV-T1-GE3 Stock

  • SI3805DV-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI3805DV-T1-GE3
  • SI3805DV-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI3805DV-T1-GE3 Price
  • SI3805DV-T1-GE3 Distributor

SI3805DV-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieLITTLE FOOT®
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs84mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds330pF @ 10V
FET-FunktionSchottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.)1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-TSOP
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDP2710

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

101nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7280pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

260W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

IXTX20N150

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1Ohm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1250W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

Paket / Fall

TO-247-3

EPC2053

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

48A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 25A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14.8nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1895pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

Die

Paket / Fall

Die

IRFR420BTM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

610pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NVTGS3455T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

Kürzlich verkauft

DG408DY-T1-E3

DG408DY-T1-E3

Vishay Siliconix

IC MULTIPLEXER 8X1 16SOIC

SHT11

SHT11

Sensirion AG

SENSOR HUMID/TEMP 5V DTL 3% SMD

LM2596DSADJR4G

LM2596DSADJR4G

ON Semiconductor

IC REG MULT CONFG ADJ 3A D2PAK-5

AD734AQ

AD734AQ

Analog Devices

IC MULTIPLIER/DIVIDER 14CDIP

AD8505ARJZ-R7

AD8505ARJZ-R7

Analog Devices

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SOT23-5

T491D106K050AT

T491D106K050AT

KEMET

CAP TANT 10UF 10% 50V 2917

DS2781E+T&R

DS2781E+T&R

Maxim Integrated

IC FUEL GAUGE BATT 8TSSOP

1014-12

1014-12

Microsemi

RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

T491X227K016AT

T491X227K016AT

KEMET

CAP TANT 220UF 10% 16V 2917

NL17SZ08XV5T2G

NL17SZ08XV5T2G

ON Semiconductor

IC GATE AND 1CH 2-INP SOT553

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

AD9745BCPZRL

AD9745BCPZRL

Analog Devices

IC DAC 12BIT A-OUT 72LFCSP