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SI4532DY

SI4532DY

Nur als Referenz

Teilenummer SI4532DY
PNEDA Teilenummer SI4532DY
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-SO
Hersteller ON Semiconductor
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SI4532DY Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4532DY
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4532DY, SI4532DY Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 377,11 KB)
PDFSI4532DY Datenblatt Cover
SI4532DY Datenblatt Seite 2 SI4532DY Datenblatt Seite 3 SI4532DY Datenblatt Seite 4

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SI4532DY Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.9A, 3.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds235pF @ 10V
Leistung - max900mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 8V

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

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Infineon Technologies

Serie

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

390mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 390mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1.5µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.62nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 15V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA, 660mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF, 113pF @ 16V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1171pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

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Hersteller

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

700mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.1Ohm @ 350mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 20V

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