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SI4567DY-T1-GE3

SI4567DY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4567DY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4567DY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET N/P-CH 40V 5A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI4567DY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4567DY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4567DY-T1-GE3, SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 131 KB)
PDFSI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI4567DY-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI4567DY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A, 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds355pF @ 20V
Leistung - max2.75W, 2.95W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Vishay Siliconix

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1208pF @ 15V

Leistung - max

22.7W, 100W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

724pF @ 25V

Leistung - max

2.7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

300A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.2mOhm @ 150A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 6mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

325nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

18500pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

113A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 4mA (Typ)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3800pF @ 1000V

Leistung - max

500W

Betriebstemperatur

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