SI4569DY-T1-GE3
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| Teilenummer | SI4569DY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4569DY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.276 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI4569DY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4569DY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI4569DY-T1-GE3, SI4569DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4569DY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.6A, 7.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 855pF @ 20V |
| Leistung - max | 3.1W, 3.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.8nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 572pF @ 25V Leistung - max 27.8W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount, Wettable Flank Paket / Fall PowerPAK® 1212-8W Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8W Dual |
