SI4973DY-T1-E3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4973DY-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4973DY-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jul 10 - Jul 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI4973DY-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | SI4973DY-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- SI4973DY-T1-E3 Datasheet
- where to find SI4973DY-T1-E3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI4973DY-T1-E3
- SI4973DY-T1-E3 PDF Datasheet
- SI4973DY-T1-E3 Stock
- SI4973DY-T1-E3 Pinout
- Datasheet SI4973DY-T1-E3
- SI4973DY-T1-E3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI4973DY-T1-E3 Price
- SI4973DY-T1-E3 Distributor
SI4973DY-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.8A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 7.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 200mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.4Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.43nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7.5pF @ 10V Leistung - max 800mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 6-MCPH |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A, 1.95A Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 205pF @ 20V Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5000pF @ 6V Leistung - max 46W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Silicon Carbide (SiC) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV) Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100A Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (Max) @ Id 5.55V @ 40mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 250nC @ 15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7950pF @ 800V Leistung - max - Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
