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SI6926ADQ-T1-GE3

SI6926ADQ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6926ADQ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI6926ADQ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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SI6926ADQ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6926ADQ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6926ADQ-T1-GE3, SI6926ADQ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 226,12 KB)
PDFSI6926ADQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI6926ADQ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max830mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Leistung - max

17.8W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

QS6J3TR

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

TSMT6 (SC-95)

PMDPB55XP,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

785pF @ 10V

Leistung - max

490mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-HUSON-EP (2x2)

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

62nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-50°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IPG20N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 22µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 25V

Leistung - max

54W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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