Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI6943BDQ-T1-GE3

SI6943BDQ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6943BDQ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI6943BDQ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.610
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mai 31 - Jun 5 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI6943BDQ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6943BDQ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6943BDQ-T1-GE3, SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 107,06 KB)
PDFSI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI6943BDQ-T1-GE3 Datenblatt Seite 6

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI6943BDQ-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI6943BDQ-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI6943BDQ-T1-GE3
  • SI6943BDQ-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI6943BDQ-T1-GE3 Stock

  • SI6943BDQ-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI6943BDQ-T1-GE3
  • SI6943BDQ-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI6943BDQ-T1-GE3 Price
  • SI6943BDQ-T1-GE3 Distributor

SI6943BDQ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max800mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDMS7620S-F106

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.1A, 12.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

608pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Sub-Base Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

Power56

EMH2407-S-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

8-EMH

EPC2107

EPC

Hersteller

EPC

Serie

eGaN®

FET-Typ

3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET-Funktion

GaNFET (Gallium Nitride)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.7A, 500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

16pF @ 50V, 7pF @ 50V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

9-VFBGA

Lieferantengerätepaket

9-BGA (1.35x1.35)

SI7530DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W, 1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

FDPC8014S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A, 41A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2375pF @ 13V

Leistung - max

2.1W, 2.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

Power Clip 56

Kürzlich verkauft

ADM3252EABCZ

ADM3252EABCZ

Analog Devices

DGTL ISO 2.5KV 4CH RS232 44BGA

SSC54-E3/57T

SSC54-E3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

0217005.MXP

0217005.MXP

Littelfuse

FUSE GLASS 5A 250VAC 5X20MM

TAJB106K016RNJ

TAJB106K016RNJ

CAP TANT 10UF 10% 16V 1411

ADP7182AUJZ-R7

ADP7182AUJZ-R7

Analog Devices

IC REG LIN NEG ADJ 200MA 5TSOT

TZB4R500AB10R00

TZB4R500AB10R00

Murata

CAP TRIMMER 7-50PF 50V SMD

B520C-13-F

B520C-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC

7A-8.000MBBK-T

7A-8.000MBBK-T

TXC

CRYSTAL 8.0000MHZ 20PF SMD

PA0277NL

PA0277NL

Pulse Electronics Power

FIXED IND 700NH 10.7A 95 MOHM

MAX3232CSE+T

MAX3232CSE+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

SMF05C.TCT

SMF05C.TCT

Semtech

TVS DIODE 5V 12.5V SC70-6