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SI7272DP-T1-GE3

SI7272DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7272DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7272DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI7272DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7272DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7272DP-T1-GE3, SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 308,71 KB)
PDFSI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI7272DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI7272DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1100pF @ 15V
Leistung - max22W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

320mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Leistung - max

990mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 2.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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FC8V22040L

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

24V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Diodes Incorporated

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

128.6pF @ 25V

Leistung - max

1.39W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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