Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7328DN-T1-E3

SI7328DN-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7328DN-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI7328DN-T1-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.196
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jul 3 - Jul 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI7328DN-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7328DN-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI7328DN-T1-E3, SI7328DN-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 569,96 KB)
PDFSI7328DN-T1-E3 Datenblatt Cover
SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI7328DN-T1-E3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI7328DN-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI7328DN-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI7328DN-T1-E3
  • SI7328DN-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI7328DN-T1-E3 Stock

  • SI7328DN-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI7328DN-T1-E3
  • SI7328DN-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI7328DN-T1-E3 Price
  • SI7328DN-T1-E3 Distributor

SI7328DN-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 18.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2610pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.78W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur-50°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8
Paket / FallPowerPAK® 1212-8

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPAN70R750P7SXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ P7

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

700V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 70µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

306pF @ 400V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

20.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220 Full Pack

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

61A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.8nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1006pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

DMPH4025SFVWQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.7A (Ta), 40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.6nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1918pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Wettable Flank

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

2SK2962(T6CANO,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-92MOD

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

BUK6Y57-60PX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

23A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

57mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1.2nF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

66W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK56, Power-SO8

Paket / Fall

SC-100, SOT-669

Kürzlich verkauft

TC4426AEOA

TC4426AEOA

Microchip Technology

IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC

LTC3774EUHE#PBF

LTC3774EUHE#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG CTRLR BUCK 36QFN

EP5358HUI

EP5358HUI

Intel

DC DC CONVERTER 1.8-3.3V 2W

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

AT28HC256-12SI

AT28HC256-12SI

Microchip Technology

IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC

MC74HC373ADWR2G

MC74HC373ADWR2G

ON Semiconductor

IC LATCH OCTAL 3ST TRANS 20SOIC

EP3C16F484I7N

EP3C16F484I7N

Intel

IC FPGA 346 I/O 484FBGA

150040RS73240

150040RS73240

Wurth Electronics

LED RED CLEAR 0402 SMD

MPQ7053

MPQ7053

Central Semiconductor Corp

TRANS 2NPN/2PNP 250V 0.5A

MIC2026-1YM

MIC2026-1YM

Microchip Technology

IC PW DIST SW DUAL 8SOIC

0251001.MXL

0251001.MXL

Littelfuse

FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL

HCPL-7710-000E

HCPL-7710-000E

Broadcom

OPTOISO 3.75KV PUSH PULL 8DIP