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SIA907EDJT-T1-GE3

SIA907EDJT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA907EDJT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA907EDJT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6L
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 28.398
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SIA907EDJT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA907EDJT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA907EDJT-T1-GE3, SIA907EDJT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 272,94 KB)
PDFSIA907EDJT-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIA907EDJT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max7.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

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Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9.5A (Ta), 15A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.3mOhm @ 4A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V

Leistung - max

2.16W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 25V

Leistung - max

3.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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8-PowerTDFN

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

372A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 186A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

28900pF @ 25V

Leistung - max

1250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP6

Lieferantengerätepaket

SP6

ZXMD65P03N8TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

Leistung - max

1.75W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

VMM90-09P

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

*

FET-Typ

-

FET-Funktion

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

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