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SIA923AEDJ-T1-GE3

SIA923AEDJ-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA923AEDJ-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA923AEDJ-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 27.486
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SIA923AEDJ-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA923AEDJ-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIA923AEDJ-T1-GE3, SIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 353,88 KB)
PDFSIA923AEDJ-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIA923AEDJ-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds770pF @ 10V
Leistung - max7.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Dual

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

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FET-Typ

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FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 16V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Silicon Carbide (SiC)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

74A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 15mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

161nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2788pF @ 1000V

Leistung - max

375W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

SP3

SI7922DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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