SIB914DK-T1-GE3
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| Teilenummer | SIB914DK-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIB914DK-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.104 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIB914DK-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIB914DK-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIB914DK-T1-GE3, SIB914DK-T1-GE3 Datenblatt
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SIB914DK-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 1.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 113mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.6nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 125pF @ 4V |
| Leistung - max | 3.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 64mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 7.8W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.4nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460pF @ 10V Leistung - max 550mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket TSMT8 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 869pF @ 30V Leistung - max 1.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket V-DFN3030-8 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 48mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.4W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
