SIDC24D30SIC3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SIDC24D30SIC3 |
| PNEDA Teilenummer | SIDC24D30SIC3 |
| Beschreibung | DIODE SILICON 300V 10A WAFER |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.212 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 21 - Mai 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIDC24D30SIC3 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIDC24D30SIC3 |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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SIDC24D30SIC3 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 200µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F. | 600pF @ 1V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 25A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 25A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 3µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall RA Lieferantengerätepaket RA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -50°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 188A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 200°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 9pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 85A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 267A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB (DO-5) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 180°C |
Hersteller Sanken Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 1.2A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 910mV @ 1.5A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall Axial Lieferantengerätepaket Axial Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
