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SIR158DP-T1-RE3

SIR158DP-T1-RE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIR158DP-T1-RE3
PNEDA Teilenummer SIR158DP-T1-RE3
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SIR158DP-T1-RE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIR158DP-T1-RE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIR158DP-T1-RE3, SIR158DP-T1-RE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 382,69 KB)
PDFSIR158DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIR158DP-T1-RE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET® Gen III
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs130nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds4980pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)83W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8
Paket / FallPowerPAK® SO-8

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V

Vgs (Max)

+20V, -16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8

DMP3017SFGQ-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2246pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

940mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

Paket / Fall

8-PowerVDFN

SSM3J372R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSVI

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.2nC @ 4.5V

Vgs (Max)

+12V, -6V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23F

Paket / Fall

SOT-23-3 Flat Leads

IPC100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 80µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8100pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-23

Paket / Fall

8-PowerVDFN

APTC60SKM24T1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

95A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

14400pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

462W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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