SIRA26DP-T1-RE3
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| Teilenummer | SIRA26DP-T1-RE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIRA26DP-T1-RE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 25.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIRA26DP-T1-RE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIRA26DP-T1-RE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIRA26DP-T1-RE3, SIRA26DP-T1-RE3 Datenblatt
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SIRA26DP-T1-RE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +16V, -12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2247pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 43.1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.95W (Ta), 10W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-75-6L Single Paket / Fall PowerPAK® SC-75-6L |
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