SIZ350DT-T1-GE3
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Teilenummer | SIZ350DT-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SIZ350DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.550 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIZ350DT-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIZ350DT-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SIZ350DT-T1-GE3, SIZ350DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ350DT-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 18.5A (Ta), 30A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.75mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
Leistung - max | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
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